POWER MOSFET驅動電路

1. 主要參數及特性
??????? MOSFET（上海諾易電器）是由電壓控制型器件，輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID，即一定條件下，漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數有：最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID，最大功耗PD。在使用中不能超過極限值，否則會損壞器件。主要電特性有：開啟電壓VGS(Th)；柵極電壓為零時的IDSS電流；在一定的VGS條件下的導通電阻RDS(ON)。

2. 基于開關電源（上海諾易電器）IC3843驅動電路

HS70N06VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導通電阻RDS(ON),像3843這類內部帶圖騰柱驅動電路的IC一般都可以很輕松的驅動它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐。

3. 基于MCU圖騰驅動電路

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅動HS80N75或者說驅動能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅動電路。

4. 基于逆變器輸出驅動電路

5. 基于HID安定器全橋驅動電路

6. 基于DCBL馬達驅動電路

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET（上海諾易電器）通電.每60o換相一次,每次有一個MOSFET（上海諾易電器）換相,每個MOSFET（上海諾易電器）通電180o。